onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
Der MOSFET NVBLS1D2N08X von onsemi verfügt über einen niedrigen QRR, RDS(on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten. Der MOSFET ist AEC-Q101-qualified für 48 V-Automotive-Systemapplikationen. Das Bauteil arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einem Dauersenkenstrom von 299 A. Der NVBLS1D2N08X MOSFET von Onsemi ist in einem H-PSOF8L-Gehäuse verfügbar.
Merkmale
- Niedriger QRR, Soft-Recovery-Bodydiode
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedriger QG und geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- AEC-Q101-qualified- und PPAP-fähig
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC
- Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler
- Motorantriebe
- 48 V-Automotive-System
Technische Daten
- 80 V Drain-Source-Spannung
- 1,1 mΩ bei 10 V Drain-Source-On-Widerstand
- 299 AA Dauersenkenstrom
Gehäusetyp
Thermische Einschwingzeit
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-10
| Aktualisiert: 2025-04-28