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NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 4.6 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBLS1D2N08XTXG

Herst.- Nr.:

NVBLS1D2N08XTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V SG TOLL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVBLS1D2N08XTXG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 2.81	CHF 281.00
	CHF 2.73	CHF 1 365.00
	CHF 2.65	CHF 2 650.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 2.59	CHF 5 180.00
10 000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H-PSOF-8L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	299 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	121 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	197 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	294 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	40 ns

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Datenblatt

NVBLS1D2N08XTXG Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

Der MOSFET NVBLS1D2N08X von onsemi verfügt über einen niedrigen Q_RR, R_DS(on) und Q_G zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten. Der MOSFET ist AEC-Q101-qualified für 48 V-Automotive-Systemapplikationen. Das Bauteil arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einem Dauersenkenstrom von 299 A. Der NVBLS1D2N08X MOSFET von Onsemi ist in einem H-PSOF8L-Gehäuse verfügbar.