onsemi NTMJS1D5N04CL 40-V-Industrie-Leistungs-MOSFET
Der NTMJS1D5N04CL 40-V-Industrie-Leistungs-MOSFET von onsemi verfügt über einen kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm, einen niedrigen RDS(on), eine geringe Gate-Ladung (QG) und eine niedrige Kapazität. Der niedrige RDS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste, die geringe QG und die geringe Kapazität reduzieren die Treiberverluste. Dieser n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und verfügt über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- 1,4 mΩ bei 10 V
- 2,2 mΩ bei 4,5 V
- Ununterbrochener Drain (ID): 200 A (max.)
- Drain-zu-Quellenspannung (VDSS): 40 V
- Gate-zu-Quellenspannung (VGS): ±20 V
- Bodydioden-Quellenstrom (IS): 120 A
- Niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG(TOT)): 32 nC
- Eingangskapazität (CISS): 4.300 pF
- Ausgangskapazität (COSS): 1.900 pF
- Sperrverzögerungszeit (tRR): 61 ns
- Ladezeit (ta): 29 ns
- Entladungszeit (tD): 32 ns
- Sperrschicht-Betriebstemperatur (TJ): -55 °C bis +175 °C
- Gehäuseausführung: LFPAK-8
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Solarwechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Geräte für Induktionserwärmung
- Motorantriebe
- Windenergie-Leistungswandler
Interner Schaltplan
Gehäuseabmessungen
Verwandte Produkte
onsemi / Fairchild FDMS86105 n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET
Optimiert für On-Widerstand, Schaltleistung und Stabilität
onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs
MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem RDS(on) und geringer Kapazität.
Veröffentlichungsdatum: 2019-08-23
| Aktualisiert: 2024-02-26