FDMS86105 n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET

Der Fairchild Semiconductor FDD86102 N-Kanal Leistungs Trench® MOSFET wird hergestellt unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench Prozesses, der für On-Widerstand, Schaltleistung und Stabilität optimiert wurde. Der Fairchild Semiconductor FDD86102 MOSFET bietet hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Leistungs- und Stromverarbeitungskapazität in einem häufig benutzten Gehäuse zur Oberflächenmontage. Der Fairchild PowerTrench MOSFET ist konzipiert für DC-DC-Wandlungs Anwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

onsemi MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
Datenblatt
11 960Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
Datenblatt
881Auf Lager
12 500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel