onsemi NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET
Der NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET von onsemi bietet eine Sperrnennspannung von 650 V, eine Ausgangskapazität von 153 pF und ein TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Quellenkonfiguration. Dieser MOSFET ist für schnellschaltende Applikationen ausgelegt und die eingesetzte Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannungssteuerung und Abschaltspitzen am Gate. Der MOSFET NTH4L023N065M3S bietet bei Ansteuerung mit einem 18 V Gate-Treiber eine optimale Leistung und funktioniert gut mit einem 15 V Gate-Treiber. Der SiC-MOSFET NTH4L023N065M3S von onsemi eignet sich hervorragend für EV-Ladegeräte, KI-Rechenzentren und Solaranwendungen.
Merkmale
- Ausgezeichnete Gütezahl (FOM)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- M3S-Technologie
- Extrem niedrige Gate-Ladung
- 100 % Avalanche-getestet
- 15 V bis 18 V Gate-Treiber
Applikationen
- Industrieapplikationen
- Cloud-Systeme
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
- Energiespeichersysteme (ESS)
- Solar
- EV-Ladegeräte
- KI-Rechenzentren
Technische Daten
- TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Quellenkonfiguration
- 153 pFF Kapazität
- 23 mΩ RDS (ON) mit niedrigen Eon und Eoff Verlusten
- Sperrspannung: 650 V
- +175 °C maximaler Temperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-07
| Aktualisiert: 2024-08-06