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NTH4L023N065M3S

Name: onsemi NTH4L023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L023N065M3S
Price: 9.83 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L023N065M3S

Herst.- Nr.:

NTH4L023N065M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTH4L023N065M3S Datenblatt

ECAD Model:

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	6.82 CHF	68.20 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	69 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	245 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NTH4L023N065M3S
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NTH4L023N065M3S Datenblatt

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET

Der NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET von onsemi bietet eine Sperrnennspannung von 650 V, eine Ausgangskapazität von 153 pF und ein TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Quellenkonfiguration. Dieser MOSFET ist für schnellschaltende Applikationen ausgelegt und die eingesetzte Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannungssteuerung und Abschaltspitzen am Gate. Der MOSFET NTH4L023N065M3S bietet bei Ansteuerung mit einem 18 V Gate-Treiber eine optimale Leistung und funktioniert gut mit einem 15 V Gate-Treiber. Der SiC-MOSFET NTH4L023N065M3S von onsemi eignet sich hervorragend für EV-Ladegeräte, KI-Rechenzentren und Solaranwendungen.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.