Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTH4L023N065M3S

Name: onsemi NTH4L023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L023N065M3S
Price: 9.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L023N065M3S

Herst.- Nr.:

NTH4L023N065M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTH4L023N065M3S Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTH4L023N065M3S

Auf Lager: 573

Lagerbestand:: 573 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	9.38 CHF	9.38 CHF
	6.51 CHF	65.10 CHF
	6.20 CHF	620.00 CHF
	5.21 CHF	2 344.50 CHF
	5.16 CHF	4 644.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	69 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	245 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.6 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	NTH4L023N065M3S
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTH4L023N065M3S Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET

Der NTH4L023N065M3S SiC-MOSFET von onsemi bietet eine Sperrnennspannung von 650 V, eine Ausgangskapazität von 153 pF und ein TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Quellenkonfiguration. Dieser MOSFET ist für schnellschaltende Applikationen ausgelegt und die eingesetzte Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannungssteuerung und Abschaltspitzen am Gate. Der MOSFET NTH4L023N065M3S bietet bei Ansteuerung mit einem 18 V Gate-Treiber eine optimale Leistung und funktioniert gut mit einem 15 V Gate-Treiber. Der SiC-MOSFET NTH4L023N065M3S von onsemi eignet sich hervorragend für EV-Ladegeräte, KI-Rechenzentren und Solaranwendungen.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.