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onsemi NTBL023N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für anspruchsvolle Leistungsapplikationen ausgelegt. Die NTBL023N065M3S MOSFETs von onsemi verfügen über einen typischen RDS(on) von 23 mΩ bei VGS = 18 V, eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 69 nC) und eine Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (Coss = 152 pF). Die MOSFETs sind vollständig auf Avalanche-Leistung getestet und sind halogenfrei, RoHS-konform mit Ausnahme 7a und bleifrei bei der zweitrangigen Verbindung. Diese SiC-MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Schaltnetzteile (SNT), Solar-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Energiespeichersysteme und Infrastruktur und bieten eine robuste Leistung für moderne Leistungsmanagementanforderungen.

Merkmale

  • Typischer RDS(on) = 23 m bei VGS = 18 V
  • Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 69 nC)
  • Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedriger Kapazität (Coss = 152 pF)
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Halogenfrei und RoHS-konform mit Ausnahme 7a, bleifrei 2LI (auf zweiter Ebene)

Applikationen

  • SMPS
  • Solar-Wechselrichter
  • UPS
  • Energiespeicher
  • Infrastruktur

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Veröffentlichungsdatum: 2025-01-17 | Aktualisiert: 2025-02-20