onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V
Der onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist in in einem Flat-Lead-Gehäuse von 8 mm x 8 mm erhältlich, das sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignet. Das Einzel-n-Kanal-Bauteil mit 80 V bietet einen RDS(on) von 1,1 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand). Der MOSFET verfügt über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus ist das Bauteil AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.
Merkmale
- 1,1 mΩ RDS(on) (Drain-Source-Widerstand)
- Kompaktes Flat-Lead-Design von 8 mm x 8 mm
- Montageart: SMD/SMT
- 337 A ID-Dauersenkenstrom
- 20 V VGS (Gate-Source)
- 4 V VGS th (Gate-Source-Schwellenwert)
- 80 V VDS (Drain-Source-Durchschlagspannung)
- 147 nC Qg (Gate-Ladung)
- 300 W PD (Verlustleistung)
- 19 ns Abfallzeit
- 14 ns Anstiegszeit
- 66 ns Ausschaltverzögerung (typisch)
- 29 ns Einschaltverzögerung (typisch)
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- RoHS-konform
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
- Lastschalter für ECU, Fahrgestell, Karosserie
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Veröffentlichungsdatum: 2019-10-25
| Aktualisiert: 2024-02-15