NVMTS1D2N08H

onsemi
863-NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
80 V
337 A
1.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
147 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 400 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14 ns
Serie: NVMTS1D2N08H
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 29 ns
Gewicht pro Stück: 319,280 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
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Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (RDS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Qg) und eine geringe (Qg) x RDS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Qg und Qoss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V

Der onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist in in einem Flat-Lead-Gehäuse von 8 mm x 8 mm erhältlich, das sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignet. Das Einzel-n-Kanal-Bauteil mit 80 V bietet einen RDS(on) von 1,1 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand). Der MOSFET verfügt über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus ist das Bauteil AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.