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NVMTS1D2N08H

Name: onsemi NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS1D2N08H
Price: 5.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMTS1D2N08H

Herst.- Nr.:

NVMTS1D2N08H

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms

Datenblatt:

NVMTS1D2N08H Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5.97 CHF	5.97 CHF
	4.03 CHF	40.30 CHF
	2.93 CHF	293.00 CHF
	2.80 CHF	1 400.00 CHF
	2.70 CHF	2 700.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2.63 CHF	7 890.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFNW-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	337 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	147 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	400 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	NVMTS1D2N08H
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29 ns
Gewicht pro Stück:	319,280 mg

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Datenblatt

NVMTS1D2N08H Datenblatt

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V

Der onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist in in einem Flat-Lead-Gehäuse von 8 mm x 8 mm erhältlich, das sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignet. Das Einzel-n-Kanal-Bauteil mit 80 V bietet einen R_DS(on) von 1,1 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand). Der MOSFET verfügt über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus ist das Bauteil AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignet.