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onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativem Gate-Spannungsantrieb und Ausschaltspitzen auf dem Gate. Die M3S 1.200-V-MOSFETs von onsemi bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der M3S bietet geringe Schaltverluste und ist in einem TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität untergebracht.

Merkmale

  • TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität
  • Gate-Drive von 15 V bis 18 V
  • M3S-Technologie von 22 mOhm RDS(ON) mit niedrigen EON- und EOFF-Verlusten
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Reduzierte EON-Verluste
  • 18 V für beste Leistung; 15 V für Kompatibilität mit IGBT-Treiberschaltungen
  • Verbesserte Leistungsdichte
  • Verbesserte Robustheit bei unerwarteten eingehenden Spannungsspitzen oder Überschwingungen

Applikationen

  • AC/DC-Wandlung
  • DC/AC-Wandlung
  • DC/DC-Wandlung
  • USV
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Solarwechselrichter
  • Energiespeichersysteme

Ressourcen

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Internes Schaltdiagramm

Schaltplan - onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Rds On - Drain-Source-Widerstand Id - Drain-Gleichstrom Verpackung/Gehäuse
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Veröffentlichungsdatum: 2021-09-27 | Aktualisiert: 2025-01-20