onsemi FGH4L75T65MQDC50 Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit
Der onsemi FGH4L75T65MQDC50 Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit bietet eine optimale Leistung mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten. Der FGH4L75T65MQDC50 nutzt die Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und die SiC-Schottky-Dioden-Technologie der 1.5-Generation in einem 4-Pin-TO-247-Gehäuse. Dieser IGBT-Transistor ist für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, insbesondere brückenlose Totem-Pole-PFC und Wechselrichter ausgelegt.
Merkmale
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Strombelastbarkeit
- 100-% auf ILM getestet
- Weiche und optimierte Schaltung
- Niedrige Sättigungsspannung: VCE (Sat) = 1,45 V (typisch) bei IC = 75 A
- Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
- Enge Parameterverteilung
- RoHS-konform
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
- Energiespeichersysteme
- PFC (Blindleistungskompensation)
- EV-Ladestationen (Elektrofahrzeuge)
Technische Daten
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
- Maximale Gate-Emitter-Spannung: ±20 V
- Maximale transiente Gate-Emitter-Spannung: ±30 V
- Maximaler Kollektorstrombereich: 75 A bis 110 A
- Maximaler Verlustleistungsbereich: 192 W bis 385 W
- Maximaler Impulsstrom-Kollektor: 300 A
- Maximaler Dioden-Durchlassstrombereich: 50 A bis 60 A
- Maximaler Impuls-Dioden-Durchlassstrom: 200 A
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
- TO-247-4LD-Gehäuse
Zugehörige Lösungen
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-26
| Aktualisiert: 2024-06-19