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FGH4L75T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L75T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L75T65MQDC50
Price: 9.55 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGH4L75T65MQDC50

Herst.- Nr.:

FGH4L75T65MQDC50

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

Datenblatt:

FGH4L75T65MQDC50 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	9.55 CHF	9.55 CHF
	5.72 CHF	57.20 CHF
	4.96 CHF	595.20 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.45 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 30 V, 30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	110 A
Pd - Verlustleistung:	385 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGH4L75T65MQDC50
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	110 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	EliteSiC

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Datenblatt

FGH4L75T65MQDC50 Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FGH4L75T65MQDC50 Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit

Der onsemi FGH4L75T65MQDC50 Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit mittlerer Geschwindigkeit bietet eine optimale Leistung mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten. Der FGH4L75T65MQDC50 nutzt die Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und die SiC-Schottky-Dioden-Technologie der 1.5-Generation in einem 4-Pin-TO-247-Gehäuse. Dieser IGBT-Transistor ist für einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, insbesondere brückenlose Totem-Pole-PFC und Wechselrichter ausgelegt.