onsemi NTPF360N80S3Z n-Kanal-SUPERFET®-III-MOSFET
Der NTPF360N80S3Z n-Kanal-SUPERFET® -III von Onsemi ist ein Leistungs-MOSFET mit einer Durchschlagspannung von 800 V. Dieser SUPERFET ist für den Primärschalter eines Sperrwandlers optimiert und ermöglicht geringere Schaltverluste und Gehäusetemperaturen ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Der NTPF360N80S3Z SUPERFET von Onsemi ist mit einer internen Zener-Diode ausgestattet, welche die elektrostatische Entladungsfestigkeit (ESD) deutlich verbessert. Typische Applikationen umfassen Adapter/Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AUX-Strom, Audio und Industriestrom.
Merkmale
- Optimiert für den Primärschalter eines Sperrwandlers
- Ermöglicht niedrigere Schaltverluste und eine niedrigere Gehäusetemperatur
- Interne Zener-Diode verbessert ESD-Fähigkeit
- 800 V Drain-zu-Quellenspannung (VBR(DSS))
- 360 mΩ maximaler Drain-zu-Quellen-Widerstand (RDS(on))
- 25,3 nC typische ultra-niedrige Gate-Ladung (Qg)
- Maximaler Drainstrom von 13 A (ID)
- Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss): 2,72 µJ bei 400 V
- 100 % Avalanche-getestet
Applikationen
- Adapter/Ladegeräte
- LED-Beleuchtung
- AUX-Leistung
- Audio
- Industrielle Leistung
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-16
| Aktualisiert: 2024-06-04