NTPF360N80S3Z

onsemi
863-NTPF360N80S3Z
NTPF360N80S3Z

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220F

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
360 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
25.3 nC
- 55 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
Tube
Marke: onsemi
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: NTPF360N80S3Z
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

NTPF360N80S3Z n-Kanal-SUPERFET®-III-MOSFET

Der NTPF360N80S3Z n-Kanal-SUPERFET® -III von Onsemi ist ein Leistungs-MOSFET mit einer Durchschlagspannung von 800 V. Dieser SUPERFET ist für den Primärschalter eines Sperrwandlers optimiert und ermöglicht geringere Schaltverluste und Gehäusetemperaturen ohne Einbußen bei der EMI-Leistung. Der NTPF360N80S3Z SUPERFET von Onsemi ist mit einer internen Zener-Diode ausgestattet, welche die elektrostatische Entladungsfestigkeit (ESD) deutlich verbessert. Typische Applikationen umfassen Adapter/Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AUX-Strom, Audio und Industriestrom.