onsemi NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
Der NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-zu-Quellenwiderstand (RDS(on)) zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Der NTMFS3D6N10MCL MOSFET von Onsemi ist in einem Flat-Lead-Gehäuse mit kleinem Footprint und den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich. Typische Applikationen umfassen primäre DC/DC-MOSFETs, synchrone Gleichrichter in DC/DC und AC/DC, Motorantriebe und Schaltnetzteile.
Merkmale
- 5 mm x 6 mm Footprint für kompakte Designs
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
- 100 V Drain-zu-Quellenspannung (VDSS)
- RDS(ON) (maximal)
- 3,6 mΩ at 10 V
- 5,8 mΩ at 4,5 V
- 131 A ID (maximaler) Dauersenkenstrom
Applikationen
- Primäre DC/DC-MOSFETs
- Synchrone Gleichrichter in DC/DC und AC-DC
- Motorantriebe
- Schaltnetzteile
- Synchrongleichrichtung (SR) MOSFETs in USB Type-C™-Designs
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-18
| Aktualisiert: 2024-06-04