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NTMFS3D6N10MCLT1G

Name: onsemi NTMFS3D6N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D6N10MCLT1
Price: 3.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS3D6N10MCLT1

Herst.- Nr.:

NTMFS3D6N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET

Datenblatt:

NTMFS3D6N10MCLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.06 CHF	3.06 CHF
	2.01 CHF	20.10 CHF
	1.40 CHF	140.00 CHF
	1.24 CHF	620.00 CHF
	1.14 CHF	1 140.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.07 CHF	1 605.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	131 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	60 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS3D6N10MCL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTMFS3D6N10MCLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS3D6N10MCL N-Einkanal-Leistungs-MOSFET von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-zu-Quellenwiderstand (R_DS(on)) zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Der NTMFS3D6N10MCL MOSFET von Onsemi ist in einem Flat-Lead-Gehäuse mit kleinem Footprint und den Abmessungen 5 mm x 6 mm erhältlich. Typische Applikationen umfassen primäre DC/DC-MOSFETs, synchrone Gleichrichter in DC/DC und AC/DC, Motorantriebe und Schaltnetzteile.