onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET
Der onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET ist für den Primärschalter eines Sperrwandlers optimiert, der niedrigere Schaltverluste und eine niedrigere Gehäusetemperatur ermöglicht. Dieser MOSFET enthält eine interne Zenerdiode, welche die ESD-Belastbarkeit verbessert. Der NTD360N80S3Z MOSFET von onsemi verfügt über eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von 800 V, einen maximale Drain-Source-Widerstand RDS(on) von 360 mΩ und einen maximalen Drainstrom (ID) von 13 A. Zu den typischen Applikationen gehören Adapter/Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AUX-Leistung, Audio- und Industrieleistung.
Merkmale
- Niedrige Schaltverluste
- Hoher Wirkungsgrad
- Gute EMI-Performance
- Verbesserte ESD-Fähigkeit mit der internen Zenerdiode
- Maximaler RDS(on): 360 mΩ
- 800 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
- 13 mA Drainstrom (ID)
- Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg): 25,3nC (typisch)
- Niedrige gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss): 2,72 µJ bei 400 V
Applikationen
- Adapter/Ladegeräte
- LED-Beleuchtung
- AUX-Leistung
- Audio
- Industrielle Leistung
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-14
| Aktualisiert: 2024-06-12