Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTD360N80S3Z

Name: onsemi NTD360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD360N80S3Z
Price: 3.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTD360N80S3Z

Herst.- Nr.:

NTD360N80S3Z

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF3 800V 360MOHM DPAK

Datenblatt:

NTD360N80S3Z Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTD360N80S3Z

Auf Lager: 2 045

Lagerbestand:: 2 045 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 21 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.17 CHF	3.17 CHF
	1.87 CHF	18.70 CHF
	1.45 CHF	145.00 CHF
	1.30 CHF	650.00 CHF
	1.22 CHF	1 220.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1.22 CHF	3 050.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	360 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	25.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTD360N80S3Z
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	360 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTD360N80S3Z Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTD360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET

Der onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET®-III-MOSFET ist für den Primärschalter eines Sperrwandlers optimiert, der niedrigere Schaltverluste und eine niedrigere Gehäusetemperatur ermöglicht. Dieser MOSFET enthält eine interne Zenerdiode, welche die ESD-Belastbarkeit verbessert. Der NTD360N80S3Z MOSFET von onsemi verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 800 V, einen maximale Drain-Source-Widerstand R_DS(on) von 360 mΩ und einen maximalen Drainstrom (I_D) von 13 A. Zu den typischen Applikationen gehören Adapter/Ladegeräte, LED-Beleuchtung, AUX-Leistung, Audio- und Industrieleistung.

SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.