NXP Semiconductors A5G35H110N Evaluierungsboard
Das A5G35H110N Evaluierungsboard von NXP Semiconductors wird mit dem A5G35H110N Airfast-HF-Leistungs-GaN-Transistor verwendet. Die Platine ist für 32T, 320 W Funkgeräte (10 W AVG) für jede Antenne) ausgelegt. Sein Zielband ist B42. Er bietet 2x mehr Leistung im gleichen Gehäuse wie die 64T-Lösungen.
Merkmale
- Diskreter 48-V-GaN-Transistor
- Bei 7,6 dB OBO
- 41,8 dBm AVG (15 W)
- 15 dB Gain
- 54 % Drain-Wirkungsgrad (Doherty)
- 3300-3700 MHz
- 49,4 dBm Spitze (85 W)
- DFN 7 x 6,5 umspritztes Kunststoffgehäuse
- Asymmetrisch - 1,9:1 Verhältnis, vorjustierterEingang und Ausgang
Typische Anordnung
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-26
| Aktualisiert: 2023-04-06