A5G35H110N-3400

NXP Semiconductors
771-A5G35H110N-3400
A5G35H110N-3400

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Beschreibung:
RF-Entwicklungstools A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit

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NXP
Produktkategorie: RF-Entwicklungstools
RoHS: N
Evaluation Boards
RF Transistor
A5G35H110N
Marke: NXP Semiconductors
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Produkt-Typ: RF Development Tools
Serie: A5G35H110N
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Artikel # Aliases: 935436625598
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USHTS:
9030908050
ECCN:
EAR99

A5G35H110N Evaluierungsboard

Das A5G35H110N Evaluierungsboard von NXP Semiconductors wird mit dem A5G35H110N Airfast-HF-Leistungs-GaN-Transistor verwendet. Die Platine ist für 32T, 320 W Funkgeräte (10 W AVG) für jede Antenne) ausgelegt. Sein Zielband ist B42. Er bietet 2x mehr Leistung im gleichen Gehäuse wie die 64T-Lösungen.