Zurück zu Nexperia

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte bieten WLCSP- und unbedrahtete DFN-Gehäuse für mobile und tragbare Applikationen. Die SSMOS-Gehäuse von Nexperia bieten eine extrem kleine DFN-Lösung in der heutigen häufig verwendeten Rastermaß-Größe von 0,35 mm. Diese extrem kleinen Gehäuse sind eine ideale Ersatzlösung, wo Platz entscheidend ist. Sie bieten eine erhebliche Platzeffizienz bei minimalem Montageaufwand. Alle Teile sind sowohl als n-Kanal als auch p-Kanal erhältlich und mit einem ESD-Schutz von > 2 kV und einer hohen Leistungsfähigkeit von > 1.300 mW ausgestattet.

Die Gehäuseoptionen für die Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia umfassen das DFN0603 mit extrem niedrigem Profil, das nur 0,63 mm x 0,33 mm x 0,25 mm misst. Dieses Gehäuse benötigt 13 % weniger Platz als MOSFETs im nächstkleineren Gehäuse DFN0604. Darüber hinaus wurde diese Größenreduzierung ohne Beeinträchtigung der Geräteleistung erreicht, da der RDS (on) dieser Bauteile durch den 74 % reduziert wurde, was zur Verbesserung des Wirkungsgrads beiträgt und damit Designern von Wearables ermöglicht, eine noch höhere Leistungsdichte zu erreichen.

Merkmale

  • PMPB09R1XN, PMPB10R3XN, PMPB14R8XN
    • 30 V VDS, n-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET)
    • Unbedrahtetes DFN2020M-6-SMD-Kunststoffgehäuse mit mittlerer Leistung (SOT1220-2) von 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
  • PMPB19R0UPE, PMDXB290UNE
    • 20 V p-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistor (FET)
    • PMPB19R0UPE Bleifreies DFN2020M-6-SMD-Kunststoffgehäuse mittlerer Leistung (SOT1220-2) von 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
    • PMDXB290UNE Bleifreies, thermisch verbessertes, extrem flaches, kleinformatiges DFN1010B-6-Gehäuse (SOT1216) von 1,1 mm x 1 mm x 0,37 mm
  • Die Gehäuseoptionen umfassen DFN0603 mit extrem niedrigem Profil
  • Ersatz größerer Gehäuse – Leistungsverbesserungen in der Wafer- und Gehäusetechnologie ermöglichen eine höhere elektrische und thermische Leistung auf einem kleineren Footprint
  • Hohe Leistungsfähigkeit
  • Kompatibel mit Rastermaß über DFN0606 und DFN1006
  • Verbesserte RDS(on) Leistung

Applikationen

  • Lastschaltung
  • Kabelloses Laden
  • Batterieschalter
  • LED-Treiber
  • Ladeschalter für tragbare Geräte
  • Festplatten- und Computer-Leistungsmanagement
  • Leistungsmanagement in batteriebetriebenen tragbaren Geräten
  • Pegelumsetzer
  • DC/DC-Wandlung
  • Relais-Treiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Ressourcen

Videos

Verwandte Produkte

Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs

Nutzen die Trench-MOSFET-Technologie, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten.

Learn Moreüber Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs View Productsverwandt mit Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs

Platzeinsparungen – Vergleich

Nexperia Kleinsignal-MOSFETs (SSMOS) für tragbare Geräte
View Results ( 16 ) Page
Teilnummer Datenblatt Beschreibung
PMCB60XNEZ PMCB60XNEZ Datenblatt MOSFETs SOT8026 N-CH 30V 3.5A
PMCA14UNYL PMCA14UNYL Datenblatt MOSFETs SOT8007 N-CH 12V 11A
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Datenblatt MOSFETs SOT8026 N-CH 30V 4A
NX138AKHH NX138AKHH Datenblatt MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .26A
PMPB07R3ENAX PMPB07R3ENAX Datenblatt MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 12A
PMPB07R3ENX PMPB07R3ENX Datenblatt MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 12A
PMPB33XPZ PMPB33XPZ Datenblatt MOSFETs PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
PMX100UNZ PMX100UNZ Datenblatt MOSFETs SOT8013 N-CH 20V 1.3A
PMX300UNEZ PMX300UNEZ Datenblatt MOSFETs SOT8013 N-CH 30V .82A
PMX400UPZ PMX400UPZ Datenblatt MOSFETs SOT8013 P-CH 20V .9A
Veröffentlichungsdatum: 2021-02-24 | Aktualisiert: 2025-07-15