DFN0606 Trench-MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs sind zur Verwendung mit der Trench-MOSFET-Technologie ausgelegt, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten. Diese MOSFETs von Nexperia verfügen über einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sind in einem unbedrahteten, extrem kleinen DFN0606-3-Kunststoffgehäuse (SOT8001) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Mobiltelefone, Wearables und tragbare Geräte, Zubehör für Mobiltelefone, Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A
Datenblatt
98 027Auf Bestellung
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Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .38A
Datenblatt
29 624erwartet ab 20.11.2026
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 50V .38A
Datenblatt
20 000erwartet ab 27.11.2026
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .52A
Datenblatt
39 664erwartet ab 20.11.2026
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: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 20V 1.2A
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10 000erwartet ab 07.06.2027
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: 10 000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 310 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 630 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 30V .9A
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20 000erwartet ab 07.06.2027
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 900 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 620 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 30V .77A
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10 000erwartet ab 27.11.2026
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 20V .8A
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29 929erwartet ab 07.06.2027
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 640 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 N-CH 20V .8A
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19 970Auf Bestellung
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .6A
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8 280erwartet ab 07.06.2027
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 600 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 600 pC - 55 C + 150 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT8001 P-CH 20V .53A
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20 000erwartet ab 22.01.2027
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Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel