Nexperia GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET
Beim GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET von Nexperia handelt es sich um einen universal einsetzbaren 150 V, 3,9 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET. Das Bauelement GANE3R9-150QBA ist ein normalerweise ausgeschaltetes E-Mode-Bauelement, das eine überlegene Leistung und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bietet. Der GANE3R9-150QBA von Nexperia ist in einem flachen, bleifreien Quad-Gehäuse mit sehr dünnem Profil (VQFN) erhältlich.
Merkmale
- Anreicherungsmodus – normalerweise ausgeschalteter Stromschalter
- Fähigkeit zur Ultrahochfrequenzschaltung
- Diode ohne Gehäuse
- Niedrige elektrische Ladung (GATE), niedrige elektrische Ladung am Ausgang
- Geeignet für Standardapplikationen
- RoHS, bleifrei, REACH-konform
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Flaches, bleifreies Quad-Gehäuse mit sehr dünnem Profil (VQFN): 4,0 mm x 6,0 mm
Applikationen
- Hohe Leistungsdichte und hocheffiziente Leistungsumwandlung
- AC/DC-Wandler (sekundäre Stufe)
- Hochfrequenz DC/DC-Wandler in 48 V-Systemen
- Schnelles Aufladen von Batterie, Mobiltelefon, Laptop, Tablet und USB Type-C-Ladegeräten
- Wandler (AC/DC und DC/DC) für die Datenkommunikation und Telekommunikation
- Motorantriebe
- LiDAR (nicht für den Einsatz im Fahrzeugbereich geeignet)
- Audioverstärker der Klasse D
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-04
| Aktualisiert: 2024-07-02