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GANE3R9-150QBAZ

Name: Nexperia GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE3R9-150QBAZ
Price: 7.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-GANE3R9-150QBAZ

Herst.- Nr.:

GANE3R9-150QBAZ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

Datenblatt:

GANE3R9-150QBAZ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	7.62 CHF	7.62 CHF
	5.23 CHF	52.30 CHF
	3.88 CHF	388.00 CHF
	3.56 CHF	3 560.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	3.30 CHF	8 250.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	65 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Artikel # Aliases:	934667633332

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Datenblatt

GANE3R9-150QBAZ Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET

Beim GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET von Nexperia handelt es sich um einen universal einsetzbaren 150 V, 3,9 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET. Das Bauelement GANE3R9-150QBA ist ein normalerweise ausgeschaltetes E-Mode-Bauelement, das eine überlegene Leistung und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bietet. Der GANE3R9-150QBA von Nexperia ist in einem flachen, bleifreien Quad-Gehäuse mit sehr dünnem Profil (VQFN) erhältlich.