Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET ist ein 60 V MOSFET P-Kanal-Erweiterungs-Modus-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-.3) SMD Kunststoffgehäuse unter Verwendung der Trench MOSFET Technologie. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötzinnprüfung. Im Normalbetrieb arbeitet der MOSFET BUK6Q66-60PJ im negativen Modus mit Drain-Source-Spannung (VDS). Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint) angeboten. Der MOSFET BUK6Q66-60PJ ist nach AEC-Q101 zertifiziert und für Fahrzeuganwendungen geeignet. Dieser MOSFET ist ideal für Verpolungsschutz, Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.
Merkmale
- Logikpegel-kompatibel
- Trench-MOSFET-Technologie
- Seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötzinnprüfung
- Drain-Source-Spannung (VDS) von -60 V bei 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
- -55 °C bis 175 °Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
- Typische Gesamtverlustleistung von 56 W bei Tmb= 25 °C
- Thermisch effizientes Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint)
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Verpolungsschutz
- Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber
- High-Side-Lastschalter
- Relaistreiber
Abmessungen
p-Kanal-MOSFETs
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24
| Aktualisiert: 2025-08-27