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BUK6Q21-30PJ

Name: Nexperia BUK6Q21-30PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q21-30PJ
Price: 1.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK6Q21-30PJ

Herst.- Nr.:

BUK6Q21-30PJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs BUK6Q21-30P/SOT8002/ MLPAK33

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

BUK6Q21-30PJ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.37 CHF	1.37 CHF
	0.848 CHF	8.48 CHF
	0.558 CHF	55.80 CHF
	0.438 CHF	219.00 CHF
	0.374 CHF	374.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.374 CHF	1 122.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLPAK33-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	41 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	56 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	154 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns
Artikel # Aliases:	934670273118

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Datenblatt

BUK6Q21-30PJ Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

BUK6Q21-30PJ MOSFET

Der MOSFET BUK6Q21-30PJ von Nexperia ist ein 30-V-p-Kanal-Erweiterungsmodus-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötstelleninspektion. Der MOSFET BUK6Q21-30PJ arbeitet im Normalbetrieb im Modus negativer Drain-Source-Spannung (V_DS). Die Maximalspannung, die sicher zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen angelegt werden kann, beträgt 30 V. Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm) angeboten. Der MOSFET BUK6Q12-40PJ ist nach AEC-Q101 zertifiziert und eignet sich für Fahrzeuganwendungen. Dieser MOSFET ist ideal für den Verpolungsschutz, für Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.