Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Lösungen

Mehr über Microchip Technology

Die Siliziumkarbid(SiC)-Lösungen von Microchip Technology bieten innovative Optionen zur Verbesserung des Systemwirkungsgrads, ermöglichen kleinere Formfaktoren und höhere Betriebstemperaturen. Zu den Applikationen gehören Industrie-, Transport-/Automotive-, Medizintechnik-, Luft- und Raumfahrt-, Verteidigungs- und Kommunikationsprodukte. Diese SiC-MOSFETs und SiC-SBDs der nächsten Generation sind mit einer höheren repetitiven, nicht geklemmten induktiven Schaltung (UIS) bei einem Einschaltnennwiderstand oder einem Nennstrom ausgelegt. Die SiC-MOSFETs von Microchip Technology bieten eine hohe UIS-Fähigkeit von etwa 10 bis 25 J/cm² und einen robusten Kurzschlussschutz. Die SiC-Schottky-Barrieredioden (SBDs) von Microchip sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können die SiC-MOSFET- und SiC-SBD-Chips von Microchip Technology für den Einsatz in Modulen miteinander gepaart werden. SiC-MOSFET- und SiC-SBD-Produkte von Microchip sind gemäß dem AEC-Q101-Standard qualifiziert.

Merkmale

Extrem niedrige Schaltverluste verbessern den Systemwirkungsgrad
Hohe Leistungsdichte für einen kleineren Footprint zur Reduzierung der Größe und des Gewichts
3 x besser wärmeleitend als Silizium
Reduzierte Anforderungen an die Senke, um eine kleinere Größe und ein geringeres Gewicht zu erreichen

Der Hochtemperaturbetrieb verbessert die Zuverlässigkeit bei einer erhöhten Leistungsdichte
Bewährte Zuverlässigkeit/Robustheit, Lieferkette und Unterstützung mit Microchip-Qualität, -Versorgung und -Unterstützung