IXYS SiC-Dioden und Gleichrichter
Die Siliziumkarbid-Dioden und -Gleichrichter von IXYS bieten einen extrem schnellschaltenden Hochfrequenzbetrieb mit Null-Sperrverzögerung und ein temperaturunabhängiges Verhalten. In Verbindung mit der DE-Baureihe von IXYS, HF-Gehäuse mit niedriger Induktivität, können diese SiC-Dioden und Gleichrichter in beliebigen schnell schaltenden Diodenschaltungen oder Hochfrequenz-Wandler-Applikationen eingesetzt werden.
Merkmale
- Optimized for high speed
- Zero reverse recovery
- Zero forward recovery
- Temperature independent switching behavior
- Low leakage current
- Easy to mount, no insulators needed
- High power density
- Isolated substrate
- High isolation voltage
- Excellent thermal transfer
- Increased temperature and power cycling capability
- Very low insertion inductance
- No Beryllium Oxide (BeO) or other hazardous materials
- RoHS compliant
Applikationen
- Switched-mode power supply (SMPS) applications
- Output rectifier for high-frequency power converters
- Resonant converters
- General high-speed rectifier circuits
Related MOSFETs
IXYS Leistungs-MOSFETs
Für HF- und Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen ausgelegt.
Veröffentlichungsdatum: 2017-10-13
| Aktualisiert: 2022-03-29