SiC-Dioden und Gleichrichter

Die Siliziumkarbid-Dioden und -Gleichrichter von IXYS bieten einen extrem schnellschaltenden Hochfrequenzbetrieb mit Null-Sperrverzögerung und ein temperaturunabhängiges Verhalten. In Verbindung mit der DE-Baureihe von IXYS, HF-Gehäuse mit niedriger Induktivität, können diese SiC-Dioden und Gleichrichter in beliebigen schnell schaltenden Diodenschaltungen oder Hochfrequenz-Wandler-Applikationen eingesetzt werden.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple SiC Schottky Diode
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SMD/SMT SMD-6 Triple 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C SS27 Tube