IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
Der IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET ist ein A 650 V-HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse, der mit dem Ladungskompensationsprinzip und der proprietären Prozesstechnologie ausgelegt ist. Dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Gate-Ladungen zusammen mit einer überlegenen dv/dt-Leistung aus. Der IXFH34N65X2W MOSFET verfügt über eine hohe Leistungsdichte und die Avalanche-Fähigkeit verbessert die Robustheit des Bauteils. Zusätzlich zur schnellen Soft-Recovery-Bodydiode trägt der Ultra-Junction-MOSFET zur Reduzierung von Schaltverlusten und elektromagnetischen Störungen (EMI) bei. Der IXFH34N65X2W MOSFET wird in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantrieben, Robotik- und Servosteuerungsapplikationen verwendet.
Merkmale
- 650 V Drain-Source-Spannung (VDS)
- Niedriger Einschaltwiderstand (RDS (on)): ≤ 100 mΩ
- Niedrige Gate-Ladung (Qg): 64 nC
- 540 W Verlustleistung (PD)
- 34 A Drainstrom (ID)
- Avalanche-bewertet
- Hoher Wirkungsgrad
- -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
- Hohe Leistungsdichte
- Niedrige Gehäuseinduktivität
- Reduzierte Leitungsverluste
- Reduzierte Treiberleistungsanforderungen
- Internationales Standardgehäuse
- Leicht zu montieren
- Platzsparend
Applikationen
- Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteile
- DC/DC-Wandler
- AC- und DC-Motorantriebe
- PFC-Schaltungen
- Robotik
- Servosteuerungen
Abmessungen – Zeichnung
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Veröffentlichungsdatum: 2025-02-21
| Aktualisiert: 2025-03-17