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IXFP34N65X2W

Name: IXYS IXFP34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP34N65X2W
Price: 5.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFP34N65X2W

Herst.- Nr.:

IXFP34N65X2W

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXFP34N65X2W Datenblatt (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	52 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38 ns

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Datenblatt

IXFP34N65X2W Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Korea, Republik von
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie einen Überspannungsschutz für die Messleitungs-Eingänge der Zellenüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeugdrohnen, Kameradrohnen, First-Person-View-Drohnen (FPV), Drohnen für den Unternehmens- und Industriebereich, Drohnen für Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Inspektions- und Kartierungsdrohnen, Drohnen für die Landwirtschaft sowie Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Liefer- und Logistikwesen, öffentliche Sicherheit, Grenzüberwachung und Militär.

Kraftstoffbetriebene/hybride Militär-UAV-Systeme

Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) von Littelfuse bieten Lösungen für die Leistungsumwandlung und den DC-Bus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Bodenstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Leistungsumwandlung und verfügen über einen DC-Bus mit einer Gleichrichterdiode, die die AC-Netzspannung in DC umwandelt. Die kraftstoffbetriebenen/hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) bieten TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen sind Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär sowie Grenzüberwachung.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme (Unmanned Aerial Vehicle) von Littelfuse bieten Lösungen für den Schutz von Lithium-Ionen-Akkus, Akkuladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme verfügen über Sicherungen zum Schutz des Eingangs bzw. zum Überstromschutz, MOSFETs zur Halbleiterschaltung sowie TVS-Dioden zum Schutz des DC-Ausgangs vor Transienten und Überspannungen. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten einen Batterieschutz für Spannungen > 60 V und verfügen über eine Fehlerisolierung für die Hauptbatterie, eine Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Unterstützung der Vorladung) sowie einen Überstromschutz für die Abzweigstromkreise. Typische Applikationen umfassen Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Liefer- und Logistikwesen, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

Der IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET von IXYS ist ein A 650 V-HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse, der mit dem Ladungskompensationsprinzip und der proprietären Prozesstechnologie ausgelegt ist. Dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und niedrige Gate-Ladungen zusammen mit einer überlegenen dv/dt-Leistung aus. Der IXFP34N65X2W MOSFET verfügt über eine hohe Leistungsdichte und die Avalanche-Fähigkeit verbessert die Robustheit des Bauteils. Zusätzlich zur schnellen Soft-Recovery-Bodydiode trägt der Ultra-Junction-MOSFET zur Reduzierung von Schaltverlusten und elektromagnetischen Störungen (EMI) bei. Der IXFP34N65X2W MOSFET wird in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen, DC/DC-Wandlern, PFC-Schaltungen, AC- und DC-Motorantrieben, Robotik- und Servosteuerungsapplikationen verwendet.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.