Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC und REF_SiC_D2Pak_BP Boards

Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC und REF_SiC_D2Pak_BP Referenzboards ermöglichen Benutzern die Evaluierung des 1.200-V-CoolSiC™-MOSFETS im D2Pak-Gehäuse mit isolierten Gate-Treibern ohne Core. Das REF_SiC_D2Pak_MC Board nutzt die 1EDC20I12MH mit Miller-Klemmfunktion. Das REF_SiC_D2Pak_BP Board nutzt das 1EDI20H12AH mit bipolarer Stromversorgung und separatem Senken-/Quellen-Ausgang.

Die REF_SiC_D2Pak_MC und REF_SiC_D2Pak_BP Referenzboards von Infineon sind als Tochterboards für den 1.200-V-CoolSiC-MOSFET in der 3-/4-Pin-TO-247-Evaluierungsplattform ausgelegt. Benutzer können einen doppelten Impulstest durchführen, um das Betriebsverhalten des CoolSiC-Mosfets und die isolierten Gate-Treiber ohne Core zu evaluieren, indem das Referenz-Tochterboard auf der Evaluierungsplattform installiert wird.

Merkmale

Beide Tochterboards verwenden ein isoliertes Metallsubstrat (IMS), das eine ausgezeichnete Wärmeleitungsfähigkeit bietet
Alle Bauelemente sind aufgrund des IMS-Boardtyps oberflächenmontierbare Bauteile (SMD)
Die Kriechstrecke beträgt mindestens 4 mm, um einen sicheren Betrieb bei einer Busspannung von 800 VDC zu gewährleisten