Infineon Technologies Q-DPAK Vollbrücken-Evaluierungsboard V2.1
Das Vollbrücken-Evaluierungsboard der Generation 2.1 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse demonstriert die optimale Nutzung der SiC-Leistungs-MOSFETs CoolSiC™ der zweiten Generation in Q-DPAK-Gehäusen. Das Evaluierungsboard ist für schnelles Schalten und nicht für die Evaluierung von Schaltverlusten optimiert. Das Vollbrücken-Evaluierungsboard der Generation 2.1 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse ist für Einzelimpulse und nicht für kontinuierliches Schalten ausgelegt. Die Platine enthält vier CoolSiC-Schalter mit 750 V in einer Vollbrückenanordnung, die entsprechenden Gatetreiber von Infineon, kleine DC-DC-Wandler zur Bereitstellung isolierter Spannungen für jeden Bereich sowie passive Bauteile zur Unterstützung der Gleichstromzwischenkreise und zur Beendigung der Leistungs-Schleifen.
Das Evaluierungsboard demonstriert die optimale Nutzung von Hochgeschwindigkeits-Schaltgeräten in Q-DPAK-Gehäusen. Jeder MOSFET ist durch externe PWM-Signale steuerbar, die über SMA-Anschlüsse bereitgestellt werden.
Merkmale
- Vollbrücken-Topologie ermöglicht höchste Flexibilität bei der Labor-Evaluierung
- Baustein zur Evaluierung von PFC- und weichschaltenden DC/DC-Wandlern
- Schnelles Umschalten durch optimales PCB-Layout
- Funktioniert im Einzel- und Dauer-PWM-Modus
- Luftstrecke von 2,6 mm zwischen Hochspannungspotentialen auf der oberen und unteren Schicht
- Luftstrecke von 0,6 mm für innere Schichten
- Optimiertes Gate-Loop-Design für Hochgeschwindigkeits-Treiber
- Prüfanschlüsse für Drain-Source-Spannung (Vds) und Gate-Kelvin-Quellenspannung (Vgsk) für beide Halbbrücken
Bauelemente
- AIMDQ75R016M2H: Infineon CoolSiC™ G2 Automotive-Leistungs-MOSFET 750 V
- 2EDB9259Y: EiceDRIVER™ Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber-IC von Infineon im 150-mil-DSO-Gehäuse
- BAT165: AF-Schottky-Diode mit mittlerer Leistung von Infineon
- Vollständig getestetes PCB
Ansicht von oben
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-30
| Aktualisiert: 2025-10-15