Infineon Technologies OptiMOS™ Linear-FETs
Der Infineon Technologies OptiMOS™ Linear-FET ist eine Lösung, um den Kompromiss zwischen einem Einschaltwiderstand-RDS(on) und einem Betrieb im Linearmodus im Sättigungsbereich eines MOSFETs mit verbessertem Modus zu umgehen. Die Bauteile verfügen über den hochmodernen RDS(on) eines Trench-MOSFETs und den großen sicheren Betriebsbereich eines herkömmlichen planaren MOSFETs. Der OptiMOS Linear-FET verhindert Schäden an der Last, indem er hohe Einschaltströme begrenzt.
Darüber hinaus eignen sich die OptiMOS Linear-FETs hervorragend für Hot-Swap- und e-Fuse-Applikationen, die häufig in Telekommunikations- und Batteriemanagementsystemen zu finden sind.
Merkmale
- Kombination von niedrigem RDS(on) mit einem großen sicheren Wirkbereich (SOA)
- Hoher maximaler Impulsstrom
- Hoher Dauerimpulsstrom
- n-Kanal, normale Stufe
- 100 % Avalanche-getestet
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
- Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielapplikationen
- Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Applikationen
- Telekommunikation
- Batteriemanagement
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Vergleichstabelle
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-20
| Aktualisiert: 2024-11-06