OptiMOS™ Linear-FETs

Der Infineon Technologies OptiMOS™ Linear-FET ist eine Lösung, um den Kompromiss zwischen einem Einschaltwiderstand-RDS(on) und einem Betrieb im Linearmodus im Sättigungsbereich eines MOSFETs mit verbessertem Modus zu umgehen. Die Bauteile verfügen über den hochmodernen RDS(on) eines Trench-MOSFETs und den großen sicheren Betriebsbereich eines herkömmlichen planaren MOSFETs. Der OptiMOS Linear-FET verhindert Schäden an der Last, indem er hohe Einschaltströme begrenzt.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
Datenblatt
853Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
Datenblatt
5 565Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
3 493Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel