Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge sind fortschrittliche 100 V n-Kanal-Bauteile, die für eine hocheffiziente Leistungsschaltung in modernen Fahrzeugarchitekturen ausgelegt sind. Basierend auf der OptiMOS™ 7 Technologie bieten diese 100 V MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, ein schnelles Schaltverhalten und eine hohe Avalanche-Fähigkeit. Dies reduziert Leitungs- und Schaltverluste, während gleichzeitig eine hohe Robustheit und thermische Leistung erhalten bleiben. Diese Eigenschaften unterstützen Designs mit hoher Leistungsdichte in kompakten Gehäusen und sind daher ideal für anspruchsvolle Fahrzeugumgebungen, die Zuverlässigkeit, Effizienz und einen gleichmäßigen Betrieb erfordern.
Diese Infineon MOSFETs sind für 48-V-Fahrzeugsysteme optimiert und werden häufig in Applikationen wie DC/DC-Wandlern, Motorsteuerungen für Pumpen/Lüfter, Stromverteilung und Batteriemanagementsystemen eingesetzt. Die Bauteile unterstützen auch wichtige Funktionen in der elektrischen Servolenkung, beim Bremsen, in der LED-Beleuchtung und in elektrischen Fahrzeugsystemen, wo eine effiziente Leistungsumwandlung und ein robustes Schalten unerlässlich sind. Insgesamt unterstützt die OptiMOS 7 100 V Produktfamilie den Übergang zu mehr elektrisierten, energieeffizienten Fahrzeugen, da die Systemleistung verbessert und thermische sowie räumliche Einschränkungen vereinfacht werden.
Merkmale
- OptiMOS Leistungs-MOSFET für Fahrzeuganwendungen
- n-Kanal, Anreicherungsmodus
- Logikpegel für IAUCN10S7L290T
- Normaler Pegel für IAUCN10S7N025T
- Erweiterte Qualifizierung zusätzlich zu AEC‑Q101
- Verbesserte elektrische Prüfung
- Reduzierte Leitungsverluste
- Überlegene Schaltleistung
- Hohe Leistungsdichte und hoher Wirkungsgrad
- Erhöhte Strombelastbarkeit
- Sehr niedriger RDS(on)
- Robustes Design
- PG‐LHDSO‐10-Gehäuse
- Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 bis zu +260 °C Spitzen-Reflow
- Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
- 100 % Avalanche-getestet
- RoHS-konform
Applikationen
- DC/DC-Wandler (Leistungsumwandlung)
- Motorsteuerungssysteme
- Zusatzlasten im Fahrzeug
- Stromverteilung und Schaltung
- Batteriemanagementsysteme (BMS)
- Lenk- und Sicherheitssysteme
- Beleuchtungssysteme
- Elektro- und Leichtmobilitätsplattformen
Technische Daten
- Statische Eigenschaften
- Minimale Drain-Source-Durchschlagspannung von 100 V
- Gate-Schwellenspannungsbereich von 1,2 V bis 3,2 V
- Drain-Strom ohne Gate-Spannung von 1μA bis 29 μA
- Maximaler Gate-Source-Ableitstrom von 100 nA
- Drain-Source-Einschaltwiderstand von 2,5 mΩ bis 38,2 mΩ
- Typischer Gate-Widerstandsbereich von 0,9 Ω bis 1,5 Ω
- Dynamische Eigenschaften
- Maximaler Eingangskapazitätsbereich von 560 pF bis 6600 pF
- Maximaler Ausgangskapazitätsbereich von 240 pF bis 2760 pF
- Maximale Rückübertragungskapazität von 8 pF bis 30 pF
- Typische Einschaltverzögerungszeit von 2 ns bis 16 ns
- Typische Anstiegszeit von 2 ns bis 15 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit von 8 ns und 33 ns
- Typische Abfallzeit von 4 ns und 18 ns
- Gate-Ladungseigenschaften
- Maximaler Gate-Source-Ladebereich von 1,8 nC bis 31 nC
- Maximaler Gate-Drain-Ladebereich von 3 nC bis 19 nC
- Maximaler Gate-Gesamtladebereich von 11 nC bis 93 nC
- Typischer Gate-Plateau-Spannungsbereich von 3,1 V bis 4,6 V
- Sperrdiodeneigenschaften
- Maximaler Dioden- DauerstromBereich Dauerdurchlassstrom 27 A bis 175 A
- Maximaler Dioden-Dauerdurchlassstrombereich von 52 A bis 622 A
- Maximale Dioden-Durchlassspannung von 1 V
- Maximale Sperrverzögerungszeit von 32 ns bis 68 ns
- Maximale Sperrverzögerungsladung von 15 nC bis 82 nC
- Einzelimpuls-Avalanche
- Maximaler Energiebereich von 12 mJ bis 139 mJ
- Maximaler Strombereich von 18 A bis 125 A
- Maximaler Leistungsverlust von 45 W bis 205 W
Datenblätter
Schaltschema
OptiMOS™ 7 Fahrzeug Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
Implementiert Leistungs-MOSFET Technologie mit 40 V innovativen, kabellosen, robusten Stromversorgungspaketen.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
Entwickelt für hohe Leistung, Qualität und Robustheit, wie sie für anspruchsvolle Fahrzeuganwendungen erforderlich sind.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
Bieten Hochleistungsdichte geringe Leitungsverluste und optimiertes Schaltverhalten.