OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge sind fortschrittliche 100 V n-Kanal-Bauteile, die für eine hocheffiziente Leistungsschaltung in modernen Fahrzeugarchitekturen ausgelegt sind. Basierend auf der OptiMOS™ 7 Technologie bieten diese 100 V MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, ein schnelles Schaltverhalten und eine hohe Avalanche-Fähigkeit. Dies reduziert Leitungs- und Schaltverluste, während gleichzeitig eine hohe Robustheit und thermische Leistung erhalten bleiben. Diese Eigenschaften unterstützen Designs mit hoher Leistungsdichte in kompakten Gehäusen und sind daher ideal für anspruchsvolle Fahrzeugumgebungen, die Zuverlässigkeit, Effizienz und einen gleichmäßigen Betrieb erfordern.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) 3 984Auf Lager
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: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
2 000erwartet ab 02.07.2026
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel