Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET
Der Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET ist für das Off-Board-EV-Ladungssystem-Marktsegment optimiert.Das Bauteil verfügt über eine niedrige Gate-Ladung (Qg) und ein verbessertes Schaltverhalten mit hohem Wirkungsgrad.Das Bauteil enthält eine integrierte schnelle Bodydiode, welche die Sperrverzögerungsladung (Qrr) wesentlich reduziert und dadurch eine hohe Zuverlässigkeit in resonanten Topologien ermöglicht.Der IPW60R037CSFD erfüllt die Wirkungsgrad- und Zuverlässigkeitsstandards von Off-Board-EV-Ladungen und unterstützt Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Merkmale
- Ultraschnelle Bodydiode
- Erstklassige Sperrverzögerungsladung (Qrr)
- Verbesserte Diodensperr-dv/dt- und dif/dt-Robustheit
- Niedrigster FOM-RDS(on) x Qg und Eoss
- Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
- Bester Wirkungsgrad für EV-Ladungsapplikationen
- Ermöglicht höhere Leistungsdichten
- Höchste Zuverlässigkeit
- Die richtigen RDS(on)-Gehäusekombination kann ausgewählt werden
Applikationen
- EV-Ladung - optimiert für phasenverschobene Vollbrücken- (ZVS), LLC- und PFC-Applikationen. Für weich- und hartschaltende Topologien geeignet
Additional Resource
Veröffentlichungsdatum: 2019-06-05
| Aktualisiert: 2024-01-12