IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R037CSFDXKS
IPW60R037CSFDXKSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs HIGH POWER_NEW

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
136 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 30 ns
Verpackung ab Werk: 240
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 196 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 53 ns
Artikel # Aliases: IPW60R037CSFD SP001927820
Gewicht pro Stück: 6 g
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET

Der Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET ist für das Off-Board-EV-Ladungssystem-Marktsegment optimiert.Das Bauteil verfügt über eine niedrige Gate-Ladung (Qg) und ein verbessertes Schaltverhalten mit hohem Wirkungsgrad.Das Bauteil enthält eine integrierte schnelle Bodydiode, welche die Sperrverzögerungsladung (Qrr) wesentlich reduziert und dadurch eine hohe Zuverlässigkeit in resonanten Topologien ermöglicht.Der IPW60R037CSFD erfüllt die Wirkungsgrad- und Zuverlässigkeitsstandards von Off-Board-EV-Ladungen und unterstützt Lösungen mit hoher Leistungsdichte.