Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPW60R037CSFDXKSA1

Name: Infineon IPW60R037CSFDXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R037CSFDXKS
Price: 8.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPW60R037CSFDXKS

Herst.- Nr.:

IPW60R037CSFDXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Datenblatt:

IPW60R037CSFDXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPW60R037CSFDXKSA1

Auf Lager: 187

Lagerbestand:: 187 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8.35 CHF	8.35 CHF
	4.95 CHF	49.50 CHF
	4.20 CHF	420.00 CHF
	4.10 CHF	1 968.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	54 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	37 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	136 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	245 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	196 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	53 ns
Artikel # Aliases:	IPW60R037CSFD SP001927820
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

IPW60R037CSFDXKSA1 Datenblatt (PDF)

Models

IPW60R037CSFDXKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Österreich
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET

Der Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™-Superjunction-MOSFET ist für das Off-Board-EV-Ladungssystem-Marktsegment optimiert.Das Bauteil verfügt über eine niedrige Gate-Ladung (Qg) und ein verbessertes Schaltverhalten mit hohem Wirkungsgrad.Das Bauteil enthält eine integrierte schnelle Bodydiode, welche die Sperrverzögerungsladung (Qrr) wesentlich reduziert und dadurch eine hohe Zuverlässigkeit in resonanten Topologien ermöglicht.Der IPW60R037CSFD erfüllt die Wirkungsgrad- und Zuverlässigkeitsstandards von Off-Board-EV-Ladungen und unterstützt Lösungen mit hoher Leistungsdichte.