Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Module sind kompakte Leistungsmodule, die für den Antrieb von Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Betriebsverhalten durch den Einsatz von Si- oder SiC -Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Es wurde im 2017 mit Silizium- EDT2 -Technologie eingeführt und für den Wirkungsgrad im realen Fahrbetrieb optimiert. 2021 wurde eine CoolSiC™ Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und ein besseres Betriebsverhalten bietet. 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3 (Si IGBT) und CoolSiC™ G2 MOSFET Technologien eingeführt, die eine einfache Anwendung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bieten und bis zu 300 kW Betriebsverhalten innerhalb der Klassen 750 V und 1.200 V ermöglichen.
Merkmale
- HybridPACK Drive G2 Si IGBT
- EDT3 750 V und EDT(1) 1.200 V Technologien mit verbesserten Wärmestapeln
- Die langen AC-Laschen sind optional, um Strommessung zu ermöglichen
- Geringerer AC-Durchgangswiderstand und verbesserte Dicke der Laschen (1,5 mm)
- Verbesserter Stiftniet gewährleistet hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- PinFin-Grundplatte für direkte Kühlung
- Die-Attach-Technologie mit Sinterung
- Hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- Unterstützt eine kontinuierliche Betriebstemperatur von +175 °C und einen Spitzenwert von +185 °C (FS1150, FS1300)
- >900ARMS kontinuierlich möglich (Gen1 ~550ARMS)
- Verbesserte Wärmeleitfähigkeit
- Erhöhte Haltbarkeit, insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen.
- HybridPACK Drive G2 SiC
- ATV CoolSiC™ Trench MOSFET Gen2
- Verbessertes Gehäuse (gesintert, Hochleistungskeramik)
- PinFin-Grundplatte für direkte Kühlung
- Unterstützt eine kontinuierliche Betriebstemperatur von +175 °C.
- Unterstützt Spitzenbetriebstemperaturen von bis zu +190 °C
- Verbesserter Stiftniet
- Hohe Robustheit über den gesamten Temperaturbereich
- Die langen AC-Laschen sind optional, um Strommessung zu ermöglichen
- Geringerer AC-Durchgangswiderstand und niedrigere Temperatur der Laschen
- Hervorragende Zuverlässigkeit bei Gate-Oxid und kosmischer Strahlung
- Ermöglicht die Entwicklung einer skalierbaren Wechselrichterplattform
- Reduziert die Wechselrichterverluste um 2/3 im Vergleich zu modernen IGBT- Lösungen
- Betrieb bis zu einem Spitzenstrom von 900ARMS mit verbesserten Produkten
Applikationen
- Fahrzeug
- (Hybrid)-Elektrofahrzeuge (H)EVs
- Motorantriebe
- Vernetzte autonome Fahrzeuge (CAVs)
Videos
Portfolio
Gehäuseverbesserungen
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| FS1150R08A8P3CHPSA1 |  |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module |
| FS01M3R08A8MA2CHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
| FS01M5R12A7MA2BHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
| FS01MR08A8MA2CHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
| FS1000R08A7P3BHPSA1 | |
MOSFET-Module HybridPACK Drive G2 module |
| FS410R12A7P1BHPSA1 | |
MOSFET-Module HybridPACK Drive G2 module |
| FS520R12A8P1LBHPSA1 | |
IGBT-Module HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS1150R08A8P3LMCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | |
Diskrete Halbleitermodule HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-09
| Aktualisiert: 2026-03-05