Infineon Technologies Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

Vorteile für den Kunden durch CoolMOS™

• Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis
• Größtes SJ-MOSFET-Portfolio auf dem Markt
• Ausgereift, stabil und gut etabliert

Vorteile für den Kunden durch CoolSiC™

• Hohe Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit
• Hohe Zuverlässigkeit, insbesondere bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen
• Kleinere Systemgröße

Vorteile für den Kunden durch CoolGaN™

• Höchster Wirkungsgrad bei den höchsten Schaltfrequenzen
• Kleinste Systemgröße für höchste Leistungsdichte
• Ermöglicht Systemintegration

Die CoolMOS-SJ-MOSFET-Produkte von Infineon zeichnen sich durch hervorragende Leistungswerte bei Leit-, Schalt- und Treiberverlusten aus. CoolSiC und CoolGaN ermöglichen extrem effiziente und kompakte Systemdesigns, die die Nachfrage nach umweltfreundlicheren und leistungsfähigeren Produkten erfüllen. Darüber hinaus wird durch ein umfassendes Portfolio an Gate-Treiber-ICs, die für Silizium- und Wide-Bandgap-Technologien optimiert sind, das volle Potenzial der Schalter ausgeschöpft. In den 600- und 650-Spannungsklassen von Leistungsprodukten werden Benutzer feststellen, dass CoolMOS, CoolSiC und CoolGaN von Infineon koexistieren und je nach Applikation ein deutliches Leistungsversprechen bieten.

Die Fertigung von praktischen unipolaren Silizium-Dioden (Schottky-Dioden) ist auf einen Bereich von 100 V bis 150 V mit einem relativ hohen Einschaltwiderstand und Ableitstrom begrenzt. Im Vergleich dazu können Siliziumkarbid-basierte Schottky-Dioden eine viel höhere Durchschlagspannung erreichen. Infineon bietet SiC-basierte CoolSiC-Schottky-Dioden mit 600 V, 650 V und 1.200 V.