1EDB7275FXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDB7275FXUMA1
1EDB7275FXUMA1

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

ECAD Model:
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.45 CHF 1.45
CHF 1.06 CHF 10.60
CHF 0.961 CHF 24.03
CHF 0.859 CHF 85.90
CHF 0.803 CHF 200.75
CHF 0.643 CHF 321.50
CHF 0.599 CHF 599.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.578 CHF 1 445.00
CHF 0.571 CHF 4 282.50
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
9.8 A
3 V
15 V
8.3 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Handelsname: EiceDRIVER
Artikel # Aliases: 1EDB7275F SP005351350
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

Einkanal-MOSFET-Gatetreiber-ICs

Die Einkanal-MOSFET-Gatter-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die Gatetreiber-ICs von Infineon ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMTs

Die CoolGaN™ Galliumnitrid-HEMT von Infineon bieten gegenüber Silizium entscheidende Vorteile, einschließlich hoher Wirkungsgrad, hervorragende Zuverlässigkeit, Leistungsdichte und die höchste Qualität. CoolGaN-Transistoren sind mit der zuverlässigsten Technologie ausgestattet, die für den höchsten Wirkungsgrad und die höchste Leistungsdichte in Schaltnetzteilen ausgelegt ist. Die Bauteile arbeiten mit einer Erweiterungsmodus-Gate-Antriebsvorspannung, die einen Gap-GaN-Gate-Aufbau verwendet, ähnlich wie herkömmliche Silizium-MOSFETs.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.