Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC-Evaluierungsboard
Das Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC-Evaluierungsboard demonstriert die Schaltleistung des 2ED2101S06F SOI-High-Side- und Low-Side-Gate-Treibers. Der 2ED2101S06F ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen mit Resonanzspeicher-Schaltfrequenzen im 500-kHz-Bereich.
Das EVAL 2ED2101 HB-LLC-Evaluierungsboard von Infineon ermöglicht ein schnelles Prototyping und eine kurze Markteinführung für einen schnelleren Markteintritt.
Merkmale
- Eingangsspannung: 350 bis 425 VDC
- Maximal 200 W bei 16,7 A, Leistungseingang von 400 VDC, Luftstromkühlung ausreichend
- Überstromschutz
- Einschalt-LED-Meldung
- Controller-Board mit ICE2HS01G
- Hilfsstromversorgung mit isoliertem 13 V und 5 V für sekundärseitige Versorgung
- PCB von 65 mm × 137 mm, mit vier Schichten, 2-Unzen-Kupfer
- RoHS-konform
Erforderliche Ausrüstung
- Hochspannungs-Netzteil (min. 430 VDC, 1 A Strombelastbarkeit)
- Ohmsche Last von max. 16,7 A Laststrom (elektrische Last) oder 0,71 Ω Gesamtwiderstand
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Veröffentlichungsdatum: 2021-04-14
| Aktualisiert: 2022-03-11