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Infineon Technologies CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Die 650V-Leistungstransistoren CoolGaN ™ der 2. Generation von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente GaN-Transistortechnologie (Galliumnitrid) für die Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich von bis zu 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Mode-Konzept mit hohen Stückzahlen in der End-to-End-Produktion zur Marktreife. Diese bahnbrechende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet das zuverlässigste Betriebsverhalten. Die Leistungstransistoren CoolGaN™ der 2. Generation mit 650 V verbessern im Enhancement-Modus den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte durch ultraschnelles Schalten.

Merkmale

  • Enhancement-Mode-Transistor, normalerweise OFF-Schalter
  • Ultraschnelle Schaltung
  • Keine Sperrverzögerungsladung
  • Fähigkeit zur Rückleitung
  • Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
  • Überlegene Kommutierungsrobustheit
  • Verbessert den Systemwirkungsgrad
  • Verbessert die Leistungsdichte
  • Ermöglicht eine hohe Betriebsfrequenz
  • Reduzierung der Systemkosten
  • Reduziert EMI
  • Gehäuseoptionen
    • PG-DSO-20
    • PG-HDSOP-16
    • PG-TSON-8
  • ESD (HBM/CDM) JEDEC-Normen
  • Bleifrei, halogenfrei und RoHs-konform

Applikationen

  • Industrie
  • Ladegeräte und Adapter, die auf Halbbrückentopologien basieren (Halbbrückentopologien für hartes und weiches Schalten wie Totem-Pol-PFC, Hochfrequenz-LLC)
  • Telekommunikation
  • Rechenzentrum SMPS

Technische Daten

  • 1,6 V Gate-Source-Schwellenspannung
  • -10 V Gate-Source-Spannung
  • 650 V Drain-Source-Durchbruchsspannung
  • 1,4 nC bis 16 nC Gate-Ladungsbereich
  • 30 mΩ bis 330 mΩ RDS On-Drain-Source-Widerstandsbereich
  • 7,2 A bis 67 A kontinuierlicher Drainstrombereich
  • 28 W bis 219 W Verlustleistungsbereich
  • -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich

Videos

Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05 | Aktualisiert: 2025-09-30