Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™ G5 Leistungstransistoren stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungsumwandlungstechnologie dar. Diese Galliumnitrid (GaN) -Transistoren sind für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit hervorragendem Wirkungsgrad ausgelegt, wodurch ein extrem schnelles Schalten und Energieverluste ermöglicht werden. Die 700 V CoolGaN G5-Baureihe verfügt über Normal-Aus Anreicherungsmodus-Transistoren, um einen sicheren Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Mit niedriger Gate- und Ausgangsladung unterstützen diese Transistoren Designs mit hoher Leistungsdichte und reduzieren die system-BOM-Kosten.
Robuste Kommutierungsrobustheit und hohe ESD-Standards machen diese Transistoren ideal für Verbraucherapplikationen, wie z. B. Ladegeräte, Adapter und Haushaltsgeräte. Das auf der Unterseite gekühlte ThinPAK-Gehäuse verbessert das Wärmemanagement weiter und ermöglicht kompakte und effiziente Designs. Insgesamt bieten Infineon 700 V CoolGaN™ G5 Leistungstransistoren eine überzeugende Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz für moderne Leistungsumwandlungsanforderungen.
Merkmale
- Anreicherungsmodus-Transistor
- Ultraschnelles Schalten
- Keine Sperrverzögerungsladung
- Fähigkeit zur Rückleitung
- Niedrige Gate- und Ausgangsladung
- Überlegene Kommutierungsrobustheit
- 2 kV HBM ESD-Standards
- Normal-Aus-Transistor-Technologie gewährleistet einen sicheren Betrieb
- Ermöglicht eine schnelle und präzise Stromversorgungssteuerung
- Verbessert den Systemwirkungsgrad und die Zuverlässigkeit
- Gewährleistet eine robuste Leistung unter schwierigen Bedingungen
- PG-TSON-8-Gehäuse
- Feuchteempfindlichkeit (MSL) 3
- Bleifrei, RoHS-konform und Halogen-frei
Applikationen
- AC/DC-Stromversorgung
- AC/DC-Leistungsumwandlung für Telekommunikationsinfrastrukturen
- Unterhaltungselektronik
- Haushaltsgeräte
- Leistungsumwandlung
- USB-C-Adapter und -Ladegeräte
- Rechenzentrums- und KI-Rechenzentrumslösungen
- Industriestromversorgung
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung
- Maximaler Dauerbetrieb: 700 V
- Maximale Transientwert: 900 V
- Maximal gepulst: 650 V oder 750 V
- Maximaler Ableitstrombereich: 2,6 mA bis 4,8 mA bei Drain-Source-Transientenspannung
- Maximale gepulste Schaltstoßspannung: 750 V
- Maximaler Drain-Source-Dauerstrombereich: 7,2 A bis 13 A
- Maximaler drain-source-Impulsstrombereich: 7,7 A bis 23 A
- Maximaler Gate-Gleichstrom: 4,2 mA bis 7,7 mA
- Gate-Source-Spannung
- Mindest-Dauerstrom: -10 V
- Minimum gepulst: -25 V
- Maximale Verlustleistung: 28 W bis 47 W
- On-Drain-Source-Widerstandsbereich: 170 mΩ bis 330 mΩ
- Maximale Drain-Source-Spannungsanstiegsrate: 200V/ns
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
Schaltschema
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-18
| Aktualisiert: 2025-05-02