700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren

Infineon Technologies 700 V CoolGaN™ G5 Leistungstransistoren stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungsumwandlungstechnologie dar. Diese Galliumnitrid (GaN) -Transistoren sind für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit hervorragendem Wirkungsgrad ausgelegt, wodurch ein extrem schnelles Schalten und Energieverluste ermöglicht werden. Die 700 V CoolGaN G5-Baureihe verfügt über Normal-Aus Anreicherungsmodus-Transistoren, um einen sicheren Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Mit niedriger Gate- und Ausgangsladung unterstützen diese Transistoren Designs mit hoher Leistungsdichte und reduzieren die system-BOM-Kosten.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
1 882Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
3 607Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
1 980Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
2 088Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
4 753Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
4 985Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
Datenblatt
5 170Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN