Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs sind extrem schnelle Dioden, die das Angebot an Spannungsklassen der CFD7-Produktfamilie erweitern. Die Leistungs-MOSFETs werden mit einer zusätzlichen Durchschlagspannung von 50 V, einer integrierten schnellen Body-Diode, einer verbesserten Schaltleistung und einem ausgezeichneten thermischen Verhalten geliefert. Diese CFD7 Leistungs-MOSFETs bieten den höchsten Wirkungsgrad in resonanten Schalttopologien, wie z. B. LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS). Die MOSFETs kombinieren alle Vorteile einer schnellschaltenden Technologie mit einer überlegenen harten Kommutierungsrobustheit. Diese Leistungs-MOSFETs unterstützen die CoolMOS™ CFD7-Technologie, welche die Zuverlässigkeitsstandards erfüllt und darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte unterstützt.
Die CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs verfügen über reduzierte Schaltverluste und verbessern den Wirkungsgrad bei Volllast in Industrie-SNT-Applikationen. Die Leistungs-MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Diese CFD7 SJ-Leistungs-MOSFETs sind gemäß JEDEC für Industrieapplikationen vollständig qualifiziert und in PG-TO247-3-, PG-TO247-4-3- und PG-TO220-3-Gehäusen verfügbar. Die MOSFETs eignen sich für weichschaltende Topologien, schnelles EV-Laden, Server-Netzteile, Lösungen für Solarenergiesysteme und Telekommunikationsinfrastruktur.
Merkmale
- Ultraschnelle Bodydiode
- 650 V Durchschlagspannung
- Erstklassiger RDS(on)
- Reduzierte Schaltverluste
- Niedriger RDS(on) von der Temperatur abhängig
- Hervorragende harte Kommutierungsrobustheit
- Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
- Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte
- Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last in Industrie-SNT-Applikationen
- Verbesserter Wirkungsgrad bei Volllast in Industrie-SNT-Applikationen
- Preisliche Wettbewerbsfähigkeit gegenüber früheren CoolMOS™-Produktfamilien
Technische Daten
- Dauersenkenstrom ID: 69 A bis 44 A
- Gepulster Drainstrom ID, Impuls: 304 A
- Verlustleistung Ptot: 305 W
- Sperrschichtbetriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Applikationen
- LLC-Applikationen:
- Server
- Telekommunikation
- EV-Laden
- Solaranlagen
- Für weich- und hartschaltende Topologien geeignet
- Optimiert für Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS)
Weitere Ressourcen
Applikationshinweis
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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-21
| Aktualisiert: 2025-10-30