CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CFD7 650-V-SJ-Leistungs-MOSFETs sind extrem schnelle Dioden, die das Angebot an Spannungsklassen der CFD7-Produktfamilie erweitern. Die Leistungs-MOSFETs werden mit einer zusätzlichen Durchschlagspannung von 50 V, einer integrierten schnellen Body-Diode, einer verbesserten Schaltleistung und einem ausgezeichneten thermischen Verhalten geliefert. Diese CFD7 Leistungs-MOSFETs bieten den höchsten Wirkungsgrad in resonanten Schalttopologien, wie z. B. LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücken (ZVS). Die MOSFETs kombinieren alle Vorteile einer schnellschaltenden Technologie mit einer überlegenen harten Kommutierungsrobustheit. Diese Leistungs-MOSFETs unterstützen die CoolMOS™ CFD7-Technologie, welche die Zuverlässigkeitsstandards erfüllt und darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte unterstützt.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 005Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
268Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
136Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Datenblatt
600Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Datenblatt
600Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 618Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 163Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
436Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
149Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube