Diodes Incorporated DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Diodes Inc. DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFETs sind zur Reduzierung des Durchlasswiderstands(RDS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung konzipiert. DMTH-MOSFETs liefern eine BVDSS -Spannung von 60V und sind auf 175°C eingestellt. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement. Zu den Applikationen gehören ein Primärschalter in isoliertem DC-DC-Synchrongleichrichter und Lastschalter.
Merkmale
- Rated to +175°C
- 100% unclamped inductive switching ensures a reliable and robust end application
- Low RDS(ON) minimizes power losses
- Low Qg minimizes switching losses
- Lead-free finish and RoHS compliant
- Halogen and Antimony free green device
- AEC-Q101 qualified standards for high-reliability
Technische Daten
- Materials
- POWERDI® 5060-8 case
- Molded plastic and green molding compound case
- 94V-0 UL flammability classification rating
- Level 1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Matte tin annealed over copper lead frame terminal finish
- 0.097gm weight (approximate)
- -55°C to +175°C operating and storage temperature range
- Ratings
- 60V drain-source voltage
- ±20V gate-source voltage
- 100A forward current
- 120A pulsed drain current
- 40A avalanche current
- 160mJ avalanche energy
Veröffentlichungsdatum: 2016-05-02
| Aktualisiert: 2022-03-11