DMTH6004LPS-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6004LPS-13
DMTH6004LPS-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:
25 000 Kann in 20 Tagen versandt werden
Lange Lieferzeit für dieses Produkt.
Minimum: 2500   Vielfache: 2500
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0.623 CHF 1 557.50 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
22 A
3.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
96.3 nC
- 55 C
+ 175 C
2.6 W
Enhancement
Reel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 32.9 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 17.7 ns
Serie: DMTH6004
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 53.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.9 ns
Gewicht pro Stück: 96 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Diodes Inc. DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFETs sind zur Reduzierung des Durchlasswiderstands(RDS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung konzipiert. DMTH-MOSFETs liefern eine BVDSS -Spannung von 60V und sind auf 175°C eingestellt. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement. Zu den Applikationen gehören ein Primärschalter in isoliertem DC-DC-Synchrongleichrichter und Lastschalter.
Mehr erfahren